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2023第三屆現(xiàn)代雷達(dá)論壇 — 智能雷達(dá)展
發(fā)布人:發(fā)布時(shí)間:2023/10/30 11:24瀏覽人數(shù): 次

20231026-28日,第三屆現(xiàn)代雷達(dá)論壇-智能雷達(dá)技術(shù)發(fā)展大會(huì)在深圳坪山燕子湖國(guó)際會(huì)展中心舉辦。展會(huì)以智能雷達(dá)與先進(jìn)技術(shù)為主題,展示前沿產(chǎn)品和技術(shù)成果,吸引了來(lái)自全球各地的雷達(dá)行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)、專家學(xué)者和業(yè)內(nèi)人士共同探討雷達(dá)技術(shù)的新發(fā)展趨勢(shì)。

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作為高性能高可靠性的射頻芯片公司,中電宏業(yè)圍繞移動(dòng)通信、北斗導(dǎo)航、屏蔽器、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域,全面展示了在無(wú)線通信、光纖通信、物聯(lián)網(wǎng)通信、毫米波通信等行業(yè)的自主研發(fā)產(chǎn)品和豐富成熟的射頻解決方案,現(xiàn)場(chǎng)與嘉賓及客戶共同探討新技術(shù)、分享新經(jīng)驗(yàn)、謀劃新發(fā)展。

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此次展會(huì),中電宏業(yè)攜旗下多個(gè)國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)產(chǎn)品與行業(yè)應(yīng)用解決方案精彩亮相,其中的主要產(chǎn)品有GaN HEMT制程射頻功率管,基于GaN工藝的無(wú)內(nèi)匹配寬帶功率晶體管,基于砷化鎵(GaAspHEMT 的低噪聲放大器芯片(MMIC),基于砷化鎵(GaAspHEMT 的功率放大器芯片(MMIC)等等,覆蓋了從SMD中低功率到陶瓷大功率,具有頻帶寬、功耗低、高集成度、高可靠性等優(yōu)勢(shì),滿足各功率等級(jí)高動(dòng)態(tài)、超寬帶、低功耗等應(yīng)用需求。

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本次展會(huì)作為全國(guó)智能雷達(dá)與先進(jìn)技術(shù)搭建合作交流平臺(tái),將助推現(xiàn)代智能雷達(dá)技術(shù)發(fā)展產(chǎn)業(yè)的發(fā)展新格局。中電宏業(yè)將借助平臺(tái)優(yōu)勢(shì),加大關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān),勇?lián)灾骺煽刂厝?,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈融合,同行業(yè)伙伴深入合作,持續(xù)為射頻芯片在雷達(dá)應(yīng)用方面的發(fā)展貢獻(xiàn)力量,助力提升國(guó)家射頻芯片產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。


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